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脈寬可調(diào)納秒激光器（芯片缺陷檢測用）

簡要描述：脈寬可調(diào)納秒激光器（芯片缺陷檢測用）優(yōu)勢：有通過定制，峰值功率定制可達10 W。一般測量需要約1 W的功率。在2 W單模激光功率水平下，可以很容易地影響你的芯片，即使是很厚的硅

產(chǎn)品型號：

廠商性質(zhì)：代理商

更新時間：2021-08-20

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進口
應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,電子/電池	高峰值功	>50KW（>250KW可定制）

脈寬可調(diào)納秒激光器（芯片缺陷檢測用）

此系列激光器為單模激光器，通過內(nèi)置從輸入的TTL/LVTTL數(shù)字信號中產(chǎn)生光脈沖。

脈寬可調(diào)納秒激光器（芯片缺陷檢測用）脈沖長度從1.5 ns -CW 連續(xù)可調(diào)，脈沖重頻從單脈沖- 250 MHz可調(diào)

對于針對應(yīng)用（熱激光刺激(TLS),Thermal laser stimulation(TLS),芯片存儲讀取（BBRAM, SRAM）），有著如下特別優(yōu)勢:

需求：需要盡可能小的光斑來加工待測芯片的集中部分，并定位正作用的芯片具體位置。

優(yōu)勢：激光器為單模激光器。輸出纖芯尺寸為6μm，通過配套顯微鏡，可以將它聚焦到1μm以內(nèi)，提高能流密度

需求：需要時間精度和時間靈活性來使激光脈沖與待測芯片同步

優(yōu)勢：每個激光器抖動小于8 ps。從而可以將PDM+與芯片同步，并在+/8ps時知道激光脈沖何時到達樣品。可以選擇從1.5納秒到連CW 脈沖以及從單次發(fā)射到250兆赫的任何脈沖

芯片硅很厚，需要高功率

優(yōu)勢：有通過定制，峰值功率定制可達10 W。一般測量需要約1 W的功率。在2 W單模激光功率水平下，可以很容易地影響你的芯片，即使是很厚的硅

可靠性和產(chǎn)品支持

優(yōu)勢：該系列激光器都是光纖設(shè)計激光器。沒有光學移動部件或損失的風險。該模塊是電子安全的，不會因操作不當而損壞。

PDM - HPP系列激光器參數(shù)

主要特征：

PDM HP 系列參數(shù)

脈寬可調(diào)納秒激光器（芯片缺陷檢測用）